Instant , instante; ideal instants of a modulation, instantes ideales de una modulación .

Instant center, centro instantáneo

Instantaneous axis. ( Mechanics ) The axis about which a rigid body is carrying out a pure rotation at a given instant in time. Eje instantáneo , ( Mecánica ) El eje por el cual un cuerpo rígido lleva a cabo una rotación pura en un instante dado.

Instantaneous center. ( Mechanics ) A point about which a rigid body is rotating at a given instant in time. Also known as instant center. Centro instantáneo de rotación , ( Mecánica ) Punto en el cual un cuerpo rígido gira un instante de tiempo dado. También se conoce como centro instantáneo.

Instantaneous recovery. ( Mechanics ) The immediate reduction in the strain of a solid when a stress is removed or reduced, in contrast to creep recovery. Recuperación instantánea, ( Mecánica ) Reducción inmediata del esfuerzo de un sólido cuando se elimina o reduce una tensión, en contraste de lo que sucede con la recuperación de fluencia.

Instantaneous strain. ( Mechanics ) The immediate deformation of a solid upon initial application of a stress, in contrast to creep strain. Deformación instantánea , ( Mecánica ) La inmediata deformación de un sólido con la aplicación inicial de tensión, en contraste con la deformación por fluencia.

Instantaneous, instantáneo, momentánea, instantánea

Institute, fábrica, institución, instituto; steel institute , acerería. 

Instroke, carrera de vuelta (pistón).

Instrument transformer, transformador instrumental (Electrónica - Electronics ), Un transformador que proporciona en su secundario una tensión o corriente relacionada en magnitud y fase con la del primario y por tanto, puede utilizarse en instrumentos de medida, control o protección de dispositivos.

Instrument , aparato, ( Sistemas de control ) instrumento: Un dispositivo usado directamente o indirectamente para medir o controlar una variable o ambos. El término incluye válvulas de control, válvulas de desahogo y dispositivos eléctricos tales como anunciadores y botones de presionar. El término no aplica a partes, por ejemplo, un fuelle receptor o una resistencia, los cuales son componentes internos de un instrumento;gyro instruments, instrumentos giroscópicos; measure instrument , aparato de medida; navigational instruments, instrumentos de navegación; portable instrument , instrumento portátil; precision instrument , instrumento de precisión; telegraph instruments room, sala de aparatos telegráficos.

Insubmergible, insumergible.

Insulate (to) , aislar (electricidad).

Insulated -gate field-effect transistor (IGFET), transistor de efecto de campo de puerta aislada (Electrónica - Electronics ), Un transistor de efecto de campo en el que el electrodo de entrada se acopla capacitivamente al canal. Una sección de un IGFET se muestra en la figura siguiente.

Fig. Diagrama simplificado que muestra la estructura de un transistor de efecto base p de campo de puerta aislada de canal n.

Consiste en un sustrato de silicio tipo-p en el que se ha difundido una región tipo-n en cada extremo, efectuándose en ellas las conexiones de fuente y drenador. El dispositivo se recubre con una capa de dióxido de silicio obtenido por calentamiento a 1200°C en atmósfera de vapor de agua u oxígeno. A continuación se deposita una fina capa de aluminio para obtener la conexión de puerta, constituyéndose un condensador con el aluminio, el dióxido de silicio y sustrato tipo-p. Cuando no hay tensión aplicada a la puerta, la única corriente que circula entre fuente y drenador es la corriente de fugas de las uniones pn, por otra parte despreciable. Sin embargo, si se polariza la puerta positivamente (con respecto a la fuente), los electrones son atraídos a la superficie desde la ruptura térmica de la capa p o desde la región n, y esto genera un canal conductor tipo-n entre la fuente y el drenador, permitiendo la circulación de una corriente longitudinal. Incrementos en la polarización positiva ocasionan un aumento de la conductividad del canal y por lo tanto en la corriente de drenador. Se dice que este dispositivo opera en modo acumulación debido a que la corriente es cero para polarización de puerta nula y que aumenta con la polarización directa de puerta. Sin embargo, es posible dotar a los IGFETs de una capa tipo-n sobre el sustrato tipo-p durante el proceso de fabricación, con lo cual el canal presenta una cierta conductividad y permite la circulación de la corriente de drenador en ausencia de polarización de puerta. En estos IGFETs se necesita una tensión de puerta negativa para cortar el canal, tal y como ocurre en los JUGFETs, y por ello para estos valores de polarización, el dispositivo opera en modo despoblación. Para polarizaciones positivas de puerta, aumentará la corriente de drenador, trabajando el dispositivo en modo acumulación. Los IGFETs pueden tener más de una puerta, denominándose tetrodos FET en el caso de que tengan dos. La distinción gráfica entre los dos tipos de FETs, de despoblación y acumulación, se expresa representando el canal de este último mediante una línea cortada. Esto se ilustra en la figura siguiente, donde se muestra el símbolo gráfico de un IGFET de despoblación de dos puertas, y otro de una puerta, del tipo acumulación, ambos de canal tipo-n.

Fig. Símbolos gráficos de (a) un IGFET en modo despoblación de fuente doble puerta y (b) un IGFET en modo fuente acumulación de puerta única, ambos (a) (b) de canal n.

Insulated, aislado;paper insulated , aislado con papel; rubber insulated , aislado con caucho; silicone insulated , aislado con silicona.

Insulating, aislante, calorífugo

Insulation, aislamiento, aislamiento fónico , termoaislamiento; ceramic insulation , aislamiento de cerámica; heat insulation , termoaislamiento; sound insulation , aislamiento fónico;  thermal insulation , aislamiento térmico.

Insulative, aislatorio.