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Español  |
| transient ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transitorio). Véase TRANSIENT PHENOMENA. |
| transient analyzer ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(analizador de transitorios). Dispositivo para producir una sucesión de transitorios eléctricos iguales en un circuito de ensayo y representar su forma de onda, normalmente ajustable, en un osciloscopio. |
| transient area ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(zona o área transitoria). Espacio en memoria disponible para programas de utilizador. |
| transient errors ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(errores transitorios). Errores que se producen una sola vez y no pueden repetirse a voluntad. |
| transient oscillation ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(oscilación transitoria). Oscilación momentánea en un circuito. |
| transient phenomena ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(fenómenos transitorios). Fenómenos que se manifiestan durante el paso de un régimen a otro. |
| transient regulation ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(regulación transitoria). Véase DYNAMIC LOAD REGULATION. |
| transient voltage suppressor (TVS) (surge protection – semiconductor devices) |
Supresor de tensión transitoria (TVS). Diodo tipo zener/avalancha (unión PN) utilizado para proteger circuitos mediante pinzado por sobretensión (reverse-bias clamping). |
| transient voltage surge (surge protection – transients) |
Sobretensión transitoria. Perturbación eléctrica rápida y de alta energía que puede aparecer en líneas de potencia o telecomunicaciones (por rayos, conmutación de equipos, maniobras de motores, etc.). |
| transient voltage surge suppressor (TVSS) (surge protection – NEC/UL terminology) |
Supresor de sobretensión transitoria (TVSS). Dispositivo protector para limitar sobretensiones desviando o limitando corriente de impulso; término usado en NEC y asociado a normas UL (también se emplea “SPD”). |
| transinformation ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transinformación). Diferencia entre el contenido de información del símbolo de entrada y el contenido de información condicional del símbolo de entrada dado el símbolo de salida. |
| transistance ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistancia). Propiedad eléctrica de los componentes de estado sólido que posibilita el control de tensiones o corrientes con fines de amplificación o conmutación de señales. |
| transistor ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor). Dispositivo electrónico, esencialmente constituido por un semiconductor con tres o más electrodos que, sin necesidad de caldeo y con un gasto insignificante de energía, realiza funciones análogas a las de los tubos termoiónicos. |
| transistor ( electronics – semiconductor devices ) |
(transistor). Semiconductor usado como interruptor o amplificador en circuitos de control. |
| transistor ( Refrigeration and HVAC Components - Thermodynamic and Physical Concepts - Measuring Instruments and Control Devices ) |
TRANSISTOR: Dispositivo electrónico comúnmente usado para amplificación. Dispositivo semiconductor activo que funciona como una válvula de corriente. Su uso es similar al antiguo tubo de electrones. Depende de las propiedades conductoras de los semiconductores, en los cuales los electrones que se mueven en un sentido son considerados como agujeros de salida, que sirven como transportadores de electricidad positiva en el sentido opuesto. Dispositivo electrónico usado para amplificación, dependiendo de las propiedades conductoras de los semiconductores. |
| transistor amplifier ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(amplificador de transistores). Véase AMPLIFIER, TRANSISTOR. |
| transistor characteristics ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(características del transistor). Conjunto de curvas que muestran la relación existente entre las corrientes y voltajes de entrada y salida de un transistor. |
| transistor parameters ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(parámetros del transistor). Parámetros que definen el funcionamiento de un transistor para señales débiles, considerado como un cuadripolo. |
| transistor -transistor logic ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(lógica transistor–transistor). Sistema de fabricación de circuitos integrados digitales que corrige algunas de las deficiencias de la lógica diodo–transistor, proporcionando una elevada relación entre la velocidad y la potencia. |
| transistor transit time ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(tiempo de tránsito del transistor). Tiempo requerido para que los portadores de carga inyectados se difundan a través de la región de la barrera. |
| transistor, all-epitaxial ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor totalmente epitaxial). Transistor en el que las tres regiones se han obtenido por depósito epitaxial. |
| transistor, alloy ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor por fusión, transistor aleado). Véase TRANSISTOR, ALLOYED. |
| transistor, alloy-diffused ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor aleado-difuso, transistor de aleación-difusión). Transistor fabricado combinando las técnicas de difusión y aleación, en el que la gota de material aleado contiene impurezas del tipo n y del tipo p; la unión base-emisor se forma por el proceso de aleación convencional, mientras que la región de la base se forma por difusión en el interior del cristal. |
| transistor, alloyed ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor por fusión, transistor aleado). Transistor formado mediante la fusión de dos electrodos a un cristal semiconductor, generalmente del tipo n, que actúa como base. |
| transistor, alloy-emitter epitaxial-base ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de base epitaxial y emisor aleado). Transistor de base epitaxial en el que la región del emisor se forma por aleación; véase también TRANSISTOR, EPITAXIAL-BASE. |
| transistor, alloy-junction ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de unión aleada). Véase TRANSISTOR, ALLOYED. |
| transistor, bipolar ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor bipolar). Transistor en el que portadores de carga positivos y negativos juegan un papel esencial en su funcionamiento. |
| transistor, conductivity modulation ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de modulación de conductividad). Transistor en el que las propiedades activas se derivan de la modulación, por los portadores minoritarios, de la resistividad de la masa de un semiconductor. |
| transistor, depletion-layer ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de zona desierta). Transistor cuyo funcionamiento está gobernado esencialmente por el movimiento de portadores a través de una zona desierta; por ejemplo, un espacistor. |
| transistor, depletion-type field-effect ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de efecto de campo de zona desierta). Transistor de efecto de campo que tiene una conductividad de canal apreciable con un voltaje cero entre puerta y fuente, y en el que la conductividad del canal puede aumentarse o disminuirse de acuerdo con la polaridad del voltaje aplicado entre puerta y fuente. |
| transistor, diffused-base ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de base difusa). Transistor en el que se forma una región de la base no uniforme mediante difusión gaseosa. |
| transistor, diffused-base epitaxial ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor epitaxial de base difusa). Transistor del tipo de colector epitaxial, formado combinando las técnicas de difusión, aleación y epitaxia; primero se deposita epitaxialmente una región delgada de colector sobre un sustrato de baja resistividad, después se forman la región no uniforme de la base y la unión base-colector por difusión gaseosa en la región epitaxial del colector, y la unión base-emisor se obtiene mediante una unión aleada convencional sobre el lado de la base. |
