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Español  |
| transistor, diffused-emitter and base ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de emisor y base difusos). Véase TRANSISTOR, DOUBLE-DIFFUSED MESA. |
| transistor, diffused-emitter epitaxial-base ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de base epitaxial y emisor difuso). Transistor de base epitaxial en el que la región del emisor se forma por difusión; véase también TRANSISTOR, EPITAXIAL-BASE. |
| transistor, double-base junction ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de unión de base doble). Transistor tetrodo que tiene dos conexiones a la base, en lados opuestos de la región central. |
| transistor, double-diffused epitaxial mesa ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor epitaxial mesa de doble difusión). Transistor del tipo de colector epitaxial formado mediante depósito epitaxial de una delgada región de colector sobre un sustrato de baja resistividad; después, las regiones de la base y el emisor se forman como en un transistor mesa de doble difusión normal, y el área de la unión base-colector se define mordentando una mesa (meseta). |
| transistor, double-doped ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor doblemente dopado). Tipo original de transistor de unión por crecimiento, formado haciendo crecer un cristal de semiconductor y añadiendo sucesivamente impurezas del tipo p y del tipo n al material fundido. |
| transistor, drift ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de campo interno). Transistor en el que la base posee un campo interno propio creado por impurezas, cuya densidad aumenta de colector a emisor, de forma que las cargas minoritarias que penetran en ella son aceleradas hacia el colector, reduciéndose así el tiempo de tránsito. |
| transistor, dual-gate field-effect ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de efecto de campo de doble puerta). Véase TRANSISTOR, TETRODE FIELD-EFFECT. |
| transistor, electrochemical diffused collector ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor electroquímico de colector difuso). Transistor formado mediante combinación de las técnicas de difusión y electroquímica, en el que una región no uniforme para la base y la unión base-colector se obtienen por difusión gaseosa en una pastilla de semiconductor que constituye la región del colector, y luego se forma la unión base-emisor por la técnica del mordentado y recubrimiento electroquímico, utilizando esta misma técnica para colocar el contacto del colector próximo a la unión base-colector. |
| transistor, epitaxial ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor epitaxial). Transistor formado mediante la técnica de depósito epitaxial, que consiste en el depósito de una película monocristalina de material semiconductor sobre un sustrato monocristalino. |
| transistor, epitaxial-base ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de base epitaxial). Transistor formado mediante depósito epitaxial de la región de la base, de un cierto tipo de conductividad, sobre una región de colector del tipo de conductividad opuesta, formándose después la región del emisor mediante aleación o difusión. |
| transistor, field-effect ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de efecto de campo). Transistor que está formado por un camino semiconductor para la corriente cuya resistencia se modula mediante la aplicación de un campo eléctrico transversal. |
| transistor, filamentary ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor filiforme). Transistor de modulación de conductividad cuya longitud es mucho mayor que sus dimensiones transversales. |
| transistor, graded-junction ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de unión gradual). Véase TRANSISTOR, RATEGROWN. |
| transistor, grown-diffused ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de capas de difusión). Transistor que se realiza combinando técnicas de difusión y el proceso de dopado doble, añadiendo simultáneamente apropiadas impurezas de los tipos n y p a la masa fundida durante el crecimiento del cristal, y formando seguidamente la región de la base por difusión durante el crecimiento continuo del cristal. |
| transistor, grown-junction ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor por crecimiento, transistor de unión por crecimiento). Transistor formado mediante el crecimiento de un cristal semiconductor al que se le agregan sucesivamente las impurezas apropiadas. |
| transistor, high-speed switching ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de conmutación rápida). Tipo de transistor utilizado en circuitos de conmutación que tiene una gran velocidad de cambio de estado. |
| transistor, homotaxial-base ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de base homotaxial). Transistor en el que se utiliza un proceso de difusión para formar las uniones del emisor y del colector en una galleta de silicio dopado uniformemente, obteniéndose una región de la base dopada homogéneamente, libre de campos acelerados en la dirección axial, lo que evita el efecto de segunda ruptura. |
| transistor, hook ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de gancho). Transistor de unión que utiliza una unión p-n adicional para actuar como una trampa para los huecos y aumentar así la amplificación de corriente. |
| transistor, junction ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de uniones). Designación general del transistor que no es de puntas; es decir, el que tiene, en lugar de puntas metálicas en contacto con el semiconductor, tres regiones del mismo con diferentes densidades de aceptores y donadores. |
| transistor, melt-back ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de fusión). Variación del transistor por crecimiento variable en el que la velocidad de crecimiento es muy lenta, lo que da como resultado una constante de tiempo térmica más baja para el sistema de crecimiento del cristal, permitiendo obtener regiones de base más delgadas y, consecuentemente, transistores de alta frecuencia. |
| transistor, melt-back diffused ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de fusión difuso). Transistor fabricado combinando la técnica de difusión y el proceso de fusión, en el que las impurezas se añaden a la barra del transistor por el proceso de fusión y la región de la base se forma a continuación por difusión mediante calentamiento en horno de la barra. |
| transistor, melt-quench ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de fusión). Véase TRANSISTOR, MELT-BACK. |
| transistor, mesa ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor mesa). Transistor del tipo de difusión en el que una oblea se graba químicamente en escalones, de modo que las regiones correspondientes a la base y al emisor aparecen como mesetas por encima de la región del colector. |
| transistor, microalloy ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor microaleado). Variación del transistor de barrera superficial en el que apropiadas impurezas del tipo n o p se depositan en las depresiones grabadas y después se alean a la pastilla de semiconductores tipo p o n. |
| transistor, microalloy diffused ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de difusión microaleado). Transistor formado mediante incorporación de las técnicas de difusión a la construcción del tipo de microaleación, sometiendo primeramente la pastilla de semiconductor a difusión gaseosa para obtener una región no uniforme en la base antes del proceso de recubrimiento electroquímico. |
| transistor, n-channel field-effect ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de efecto de campo de canal n). Transistor de efecto de campo que tiene un canal de conducción del tipo n. |
| transistor, n-p-i-n ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor n-p-i-n). Transistor en el que, entre la base del tipo p y el colector, existe una cuarta región i en la que el conductor es intrínseco, es decir, carece de impurezas, con lo que se consigue una disminución de la resistencia de base y de la capacidad del colector. |
| transistor, n-p-n ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor n-p-n). Transistor consistente en una sección de material del tipo p comprendida entre dos secciones del tipo n. |
| transistor, n-p-n-p ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor n-p-n-p). Transistor en el que el semiconductor tiene las cuatro regiones que definen las letras, con tres uniones que las separan entre sí, cuyo objeto es producir ganancias de corriente mucho mayores que la unidad. |
| transistor, overlay ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de sobrecopa). Transistor con un gran valor de la relación entre el contorno y el área, que puede soportar una elevada corriente y tiene una baja capacidad, así como un breve tiempo de tránsito entre emisor y colector. |
| transistor, pentode ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor pentodo). Transistor de contacto de puntas con tres emisores y un colector utilizado en circuitos de conmutación, mezclado o modulación. |
| transistor, planar ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor planar). Transistor en el que las uniones están en un mismo plano y en el que, como resultado de la técnica de difusión a través de una máscara de óxido utilizada para realizar dicha estructura, las uniones se forman debajo de una capa protectora de óxido, lo que evita muchos de los problemas superficiales asociados con otros tipos de transistores. |
| transistor, planar epitaxial ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor planar epitaxial). Transistor del tipo de colector epitaxial en cuya fabricación se deposita primero epitaxialmente una delgada región de colector sobre un sustrato de baja resistividad, y después se forman las regiones de la base y el emisor de la misma forma que en el transistor planar convencional. |
| transistor, p-n-i-p ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor p-n-i-p). Transistor análogo al n-p-i-n, pero con la base del tipo n y el emisor y el colector del tipo p. |
| transistor, p-n-p ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor p-n-p). Transistor consistente en una capa de material semiconductor del tipo n comprendida entre dos capas del tipo p. |
| transistor, p-n-p-n ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor p-n-p-n). Transistor análogo al n-p-n-p, pero con el signo de las impurezas cambiado, en cada región, respecto a aquél. |
| transistor, point ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de puntas). Transistor formado con dos hilos metálicos puntiagudos que hacen contacto a presión en puntos muy próximos de una de las caras de un diminuto cristal semiconductor, cuya cara opuesta va soldada a una conexión óhmica. |
| transistor, point-contact ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de puntas). Véase TRANSISTOR, POINT. |
| transistor, point-junction ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de puntas y unión). Transistor que tiene un electrodo de base y electrodos de contacto y de unión. |
| transistor, post-alloy-diffused ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor aleado-difuso, transistor de aleación-difusión). Véase TRANSISTOR, ALLOY-DIFFUSED. |
| transistor, power ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de potencia). Transistor destinado a manipular una potencia relativamente grande, es decir, entre 1 y 100 vatios aproximadamente, cuyo mayor tamaño y diseño tienen en consideración la necesidad de una refrigeración eficiente para evitar su destrucción por el aumento de la temperatura. |
| transistor, rate-grown ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor por crecimiento variable). Variación del tipo de transistor doblemente dopado en el que se varía periódicamente la velocidad de crecimiento mientras el cristal se va retirando de la sustancia fundida, de modo que durante una parte del ciclo predominan las impurezas tipo p y durante la otra las de tipo n, obteniéndose un cristal del que se cortan los transistores. |
| transistor, silicon-alloy ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de aleación de silicio). Variación del tipo de barrera superficial en el que un metal apropiado (aluminio) se deposita por evaporación sobre las depresiones mordentadas y se alea seguidamente en la pastilla de semiconductor del tipo n. |
| transistor, surface-alloy ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de aleación superficial, transistor de aleación de silicio). Véase TRANSISTOR, SILICON-ALLOY. |
| transistor, surface-barrier ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de barrera superficial). Transistor formado por una pastilla de material semiconductor en la que se han grabado depresiones en los lados opuestos por técnicas electroquímicas, formándose después las uniones del colector y el emisor con la base o contactos metal–semiconductor mediante electroplateado con un metal apropiado que se deposita en las áreas deprimidas del semiconductor. |
| transistor, tetrode ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor tetrodo). Transistor con cuatro electrodos, los tres del transistor clásico y un cuarto que está conectado a la base, designándose generalmente esta conexión por b2. |
| transistor, tetrode field-effect ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor tetrodo de efecto de campo). Transistor de efecto de campo provisto de dos puertas independientes, una fuente y un drenador, en el que un sustrato activo terminado externamente e independientemente de otros elementos se considera una puerta a los efectos de esta definición. |
| transistor, triode field-effect ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor triodo de efecto de campo). Transistor de efecto de campo con tres terminales, que son puerta, fuente y drenador. |
| transistor, triple-diffused ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de triple difusión). Variación del transistor de doble difusión en el que la pastilla de semiconductor se somete primero a una difusión profunda para disminuir efectivamente la resistividad de la región del colector, por ejemplo para formar una estructura nn+ en el caso de un transistor n-p-n, y luego se somete a difusión gaseosa con impurezas de ambos tipos, p y n, para formar las uniones base–emisor y base–colector, obteniéndose una estructura npnn+. |
| transistor, unijunction ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor monounión). Transistor formado por una unión p-n, con un electrodo conectado a uno de los materiales semiconductores y dos electrodos al otro material semiconductor; anteriormente se le llamaba diodo de base doble. |
| transistor, unipolar ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistor de efecto de campo, transistor unipolar). Véase TRANSISTOR, FIELD-EFFECT. |
| transistored ignition system (Automotive) |
Encendido transistorizado |
| transistorized ( electronics, computer science, nuclear energy ) |
(transistorizado). Se refiere al equipo electrónico que utiliza transistores en vez de tubos electrónicos. |
