(unión p-n). Zona de contacto entre dos materiales semiconductores, uno del tipo p y otro del tipo n.

Unión formada entre una región semiconductor de tipo p y otra de tipo n dentro de un mismo cristal semiconductor. Esta estructura constituye el elemento fundamental de la mayoría de los componentes electrónicos, como diodos, transistores, LED, fotodiodos y circuitos integrados. Cuando ambas regiones entran en contacto, los electrones y huecos se difunden entre sí formando una zona de agotamiento o región de carga espacial, donde aparece un campo eléctrico interno que dificulta el movimiento de nuevos portadores. Bajo polarización directa la barrera disminuye y circula corriente con facilidad; bajo polarización inversa la barrera aumenta y la corriente prácticamente desaparece, salvo una pequeña corriente residual. Las propiedades de la unión p-n permiten controlar el flujo de corriente eléctrica con gran precisión, siendo esenciales para los sistemas electrónicos utilizados en vehículos modernos.

Fig. : Equilibrio de la unión p-n

• Unión p-n sin tensión externa (p-n junction without external voltage)
• Difusión de portadores móviles de carga (Diffusion of mobile charge carriers)
• Formación de la capa de agotamiento (Formation of depletion layer)
• Región de carga espacial (Space-charge region)
• Zona limítrofe (Boundary zone)
• Región de tipo p (p-type region)
• Región de tipo n (n-type region)
• Dirección de difusión (Direction of diffusion)
• Tensión de difusión (Diffusion voltage)
• Capa de agotamiento (Depletion layer)
• Huecos (Holes)
• Electrones (Electrons)
• Portadores móviles de carga (Mobile charge carriers)
• Semiconductor de tipo p (p-type semiconductor)
• Semiconductor de tipo n (n-type semiconductor)
• Difusión de electrones (Electron diffusion)
• Difusión de huecos (Hole diffusion)
• Campo eléctrico interno (Internal electric field)
• Separación de cargas (Charge separation)
• Equilibrio de la unión p-n (p-n junction equilibrium)

Fig. : Unión p-n con tensión externa

• Unión p-n con tensión externa (p-n junction with external voltage)
• Polarización inversa (Reverse bias)
• Polarización directa (Forward bias)
• Dirección inversa (Reverse direction)
• Dirección directa (Forward direction)
• Región de tipo p (p-type region)
• Región de tipo n (n-type region)
• Tensión inversa (Reverse voltage)
• Tensión directa (Forward voltage)
• Flujo de huecos (Flow of holes)
• Flujo de electrones (Flow of electrons)
• Portadores de carga positivos (Positive charge carriers)
• Portadores de carga negativos (Negative charge carriers)
• Movimiento de electrones (Electron movement)
• Movimiento de huecos (Hole movement)
• Fuente de alimentación de corriente continua (DC power supply)
• Terminal positivo (Positive terminal)
• Terminal negativo (Negative terminal)
• Corriente eléctrica en la unión p-n (Electric current through the p-n junction)
• Conducción de la unión p-n (p-n junction conduction)