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Español  |
| H and D curve (electronics, computer science, nuclear energy) |
(curva H y D). (Véase HURTER AND DRIFFIELD CURVE). (electronics, computer science, nuclear energy) |
| H -bend (electronics, computer science, nuclear energy) |
(codo H). En guías de ondas, codo que produce un cambio de dirección en el eje de la guía, de forma que el campo magnético yace en el plano de dobladura. |
| H -bomb (electronics, computer science, nuclear energy) |
(bomba H). Abreviatura de «bomba de hidrógeno». || (Véase HYDROGEN BOMB). (electronics, computer science, nuclear energy) |
| half -differential short-circuiting ring sensor ( automotive electronics, inductive sensors, fuel injection, measurement technology, control systems ) |
(sensor semidiferencial de anillo de cortocircuito). Variante del sensor inductivo de anillo de cortocircuito que utiliza una bobina de medición y una bobina de referencia para obtener una señal precisa relacionada con el desplazamiento o el ángulo. Un anillo de referencia permanece en una posición fija, mientras que el anillo de medición se desplaza junto con el elemento mecánico cuya posición se desea conocer. Al moverse, modifica el flujo magnético y, en consecuencia, la inductancia y la tensión asociadas a la bobina de medición. El circuito electrónico puede comparar la tensión de salida con una tensión de referencia, obteniendo una magnitud proporcional al recorrido. Este principio se ha aplicado a sensores de recorrido de cremalleras de control y a sensores angulares de actuadores utilizados en bombas de inyección diésel.
Fig. A

Fig. B

Principio de medición del sensor de anillo de cortocircuito
Las figuras A y B muestran cómo un desplazamiento mecánico puede convertirse en una señal eléctrica mediante la variación de la inductancia de una bobina.
A. Principio básico —
La bobina (3), recorrida por una corriente alterna I, genera un flujo magnético Φ que circula por el núcleo magnético blando (2). El anillo de cortocircuito (1), fabricado con un material buen conductor, se encuentra dentro de este campo. El flujo alterno induce en él una corriente de Foucault Iw, cuyo campo magnético se opone al flujo original.
Por ello, la posición x del anillo determina cuánto flujo queda efectivamente enlazado con la bobina y, en consecuencia, modifica su inductancia L(x). Así, el desplazamiento mecánico se transforma en una variación de inductancia.
B. Aplicación semidiferencial —
El sensor utiliza dos sistemas inductivos. La bobina de referencia L2 (2) trabaja con un anillo de referencia (3) fijo, mientras que la bobina de medición L1 (5) está asociada al anillo de medición (6), que se desplaza con la cremallera de control s (4).
Cuando la cremallera se mueve, cambia la posición del anillo (6) y, por tanto, la inductancia L1. La inductancia L2 permanece como referencia. Comparando ambas se obtiene la tensión de salida UA respecto de URef, permitiendo determinar eléctricamente la posición de la cremallera.
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| H -bridge (electronics, computer science, nuclear energy) |
Puentes H (H-bridges)

Figura : H-bridge para proporcionar control bidireccional de un motor utilizando una sola fuente de alimentación.
Como en un CMOS driver, nunca se deben activar simultáneamente QH1 y QL1, ni QH2 y QL2. La carga (motor, altavoz, etc.) se conecta entre Load1 y Load2.
Si se activan QH1 y QL2, entonces la corriente fluye desde Load1 hacia Load2 (flechas azules). Si se activan QH2 y QL1, la corriente fluye en sentido contrario, desde Load2 hacia Load1 (flechas naranjas).
Si se activan tanto QL1 como QL2, se genera un circuito de lazo a través de la línea de tierra que cortocircuita la carga, produciendo el frenado del motor.
El esquema también muestra los diodos internos de los transistores FETs, que actúan como flyback diodes, siendo fundamentales en cargas inductivas como motores y altavoces.
Un puente H (H-bridge) es una configuración de cuatro transistores (FETs) que permite controlar la dirección de la corriente a través de una carga, como un motor o un altavoz, utilizando una sola fuente de alimentación.
El circuito está formado por dos etapas tipo CMOS, donde la carga se conecta entre los puntos medios de ambas ramas. Esta disposición permite invertir el sentido de la corriente, lo que resulta fundamental para aplicaciones como el control bidireccional de motores.
Existen varias combinaciones de activación de los transistores:
- Encendiendo QH1 y QL2, la corriente fluye en una dirección a través de la carga.
- Encendiendo QH2 y QL1, la corriente fluye en sentido contrario.
- Con todos los transistores apagados, la carga queda en estado flotante y la corriente puede circular únicamente a través de los diodos internos (body diodes), lo que ayuda a suprimir picos inductivos.
- Encendiendo QL1 y QL2, ambos extremos de la carga se conectan a tierra, produciendo un efecto de frenado en motores.
Los diodos internos de los FETs son esenciales en cargas inductivas, ya que actúan como diodos de rueda libre (flyback diodes), protegiendo el circuito frente a sobretensiones.
Los puentes H son ampliamente utilizados en controladores de motores, donde permiten ajustar tanto la dirección como la velocidad mediante técnicas como PWM (pulse width modulation).
En muchos diseños, se utilizan cuatro nFETs en lugar de combinar nFET y pFET, ya que los nFET presentan menor resistencia en conducción y mejor eficiencia. Sin embargo, esto requiere circuitos adicionales, como bootstrap o charge pump, para elevar la tensión de compuerta en los transistores del lado alto.
En aplicaciones comerciales, existen circuitos integrados que incluyen tanto el puente H como la lógica de control y protecciones, tales como protección contra sobrecorriente, sobrevoltaje y temperatura.
En resumen, el puente H es una solución eficiente y versátil para el control de cargas bidireccionales, especialmente en sistemas de potencia y control de motores.
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| H -display (electronics, computer science, nuclear energy) |
(presentación tipo H). En radar, presentación tipo B modificada para incluir indicación del ángulo de elevación; el blanco aparece como dos puntos luminosos ligeramente separados que semejan una breve línea cuya pendiente es proporcional al seno del ángulo de elevación del blanco. |
| H network (electronics, computer science, nuclear energy) |
(red en H). Red compuesta de cinco ramas, dos conectadas en serie entre un terminal de entrada y un terminal de salida, dos conectadas en serie entre otro terminal de entrada y otro terminal de salida, y la quinta conectada desde el punto de unión de las dos primeras ramas al punto de unión de las dos segundas. |
| h parameters (network theory, two-port networks) |
(parámetros h). Véase hybrid (inverse hybrid) parameters (parámetros híbridos/inversos híbridos). |
| H -plane tee junction (electronics, computer science, nuclear energy) |
(unión en T de plano H). En guías de ondas rectangulares, unión en «te» en la cual el vector del campo magnético de la onda dominante de cada brazo es paralelo al plano de los ejes longitudinales de las guías. |
| H. beam. (Architecture Design) |
Viga metálica en H. |
| h.t. battery (electronics, computer science, nuclear energy) |
(batería de alta tensión, batería de ánodo). Fuente de alimentación del circuito de ánodo de un dispositivo alimentado por baterías. |
 
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