An example of a basic instrument is a ruler In this case, the measurand is the length of some object, and the measurement is the number of units (meters, inches, etc ) that represent the length.

En términos abstractos, un instrumento es un dispositivo que transforma una variable física de interés (el mensurando) en una forma adecuada para el registro (la medida). Para que la medida tenga un significado amplio y consistente, es común emplear un sistema estándar de unidades mediante el cual la medida de un instrumento se puede comparar con la medida de otro.

Un ejemplo de un instrumento básico es una regla. En este caso, el mensurando es la longitud de algún objeto, y la medida es el número de unidades (metros, pulgadas, etc.) que representan la longitud.

Instrumentation is the basis for process control in industry. However, it comes in many forms from domestic water heaters and HVAC, where the variable temperature is measured and used to control gas, oil, or electricity flow to the water heater, or heating system, or electricity to the compressor for refrigeration, to complex industrial process control applications such as used in the petroleum or chemical industry.

In industrial control a wide number of variables, from temperature, flow, and pressure to time and distance, can be sensed simultaneously. All of these can be interdependent variables in a single process requiring complex microprocessor systems for total control.

La instrumentación es la base para el control de procesos en la industria. Sin embargo, se presenta en muchas formas, desde calentadores de agua domésticos y HVAC, donde se mide una temperatura variable y se usa para controlar el flujo de gas, aceite o electricidad al calentador de agua o al sistema de calefacción, o electricidad al compresor para refrigeración, hasta complejas aplicaciones de control de procesos industriales, como las que se utilizan en la industria química o del petróleo.

En el control industrial, se pueden detectar simultáneamente una gran cantidad de variables, desde la temperatura, el flujo y la presión hasta el tiempo y la distancia. Todas estas pueden ser variables interdependientes en un solo proceso que requiere complejos sistemas de microprocesadores para un control total.

Fig. Diagrama simplificado que muestra la estructura de un transistor de efecto base p de campo de puerta aislada de canal n. Consiste en un sustrato de silicio tipo-p en el que se ha difundido una región tipo-n en cada extremo, efectuándose en ellas las conexiones de fuente y drenador. El dispositivo se recubre con una capa de dióxido de silicio obtenido por calentamiento a 1200°C en atmósfera de vapor de agua u oxígeno. A continuación se deposita una fina capa de aluminio para obtener la conexión de puerta, constituyéndose un condensador con el aluminio, el dióxido de silicio y sustrato tipo-p. Cuando no hay tensión aplicada a la puerta, la única corriente que circula entre fuente y drenador es la corriente de fugas de las uniones pn, por otra parte despreciable. Sin embargo, si se polariza la puerta positivamente (con respecto a la fuente), los electrones son atraídos a la superficie desde la ruptura térmica de la capa p o desde la región n, y esto genera un canal conductor tipo-n entre la fuente y el drenador, permitiendo la circulación de una corriente longitudinal. Incrementos en la polarización positiva ocasionan un aumento de la conductividad del canal y por lo tanto en la corriente de drenador. Se dice que este dispositivo opera en modo acumulación debido a que la corriente es cero para polarización de puerta nula y que aumenta con la polarización directa de puerta . Sin embargo, es posible dotar a los IGFETs de una capa tipo-n sobre el sustrato tipo-p durante el proceso de fabricación, con lo cual el canal presenta una cierta conductividad y permite la circulación de la corriente de drenador en ausencia de polarización de puerta . En estos IGFETs se necesita una tensión de puerta negativa para cortar el canal, tal y como ocurre en los JUGFETs, y por ello para estos valores de polarización, el dispositivo opera en modo despoblación. Para polarizaciones positivas de puerta, aumentará la corriente de drenador, trabajando el dispositivo en modo acumulación. Los IGFETs pueden tener más de una puerta, denominándose tetrodos FET en el caso de que tengan dos. La distinción gráfica entre los dos tipos de FETs, de despoblación y acumulación, se expresa representando el canal de este último mediante una línea cortada . Esto se ilustra en la figura siguiente, donde se muestra el símbolo gráfico de un IGFET de despoblación de dos puertas, y otro de una puerta, del tipo acumulación, ambos de canal tipo-n.

Fig. Símbolos gráficos de (a) un IGFET en modo despoblación de fuente doble puerta y (b) un IGFET en modo fuente acumulación de puerta única, ambos (a) (b) de canal n.